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FDMC86244

FDMC86244 onsemi

fdmc86244-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.89 EUR
6000+0.83 EUR
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Technische Details FDMC86244 onsemi

Description: ONSEMI - FDMC86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9.4 A, 0.105 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMC86244 FDMC86244 ON Semiconductor fdmc86244-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
482+1.37 EUR
535+1.21 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 482 Stücke
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FDMC86244 FDMC86244 ON Semiconductor fdmc86244-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3410 Stücke:
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FDMC86244 FDMC86244 onsemi / Fairchild FDMC86244-D.PDF MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+1.76 EUR
100+1.37 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.88 EUR
6000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDMC86244 FDMC86244 On Semiconductor fdmc86244-d.pdf MOSFET N-CH 150V 2.8A POWER33 Транзистори
auf Bestellung 1330 Stücke:
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3+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
auf Bestellung 6419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.47 EUR
10+2.21 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FDMC86244 FDMC86244 ONSEMI 2304473.pdf Description: ONSEMI - FDMC86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9.4 A, 0.105 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDMC86244 Fairchild/ON Semiconductor FDMC86244_Fairchild.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 2,8 А, Ptot, Вт = 2,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 345 @ 75, Qg, нКл = 5,9 @ 10 В, Rds = 134 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Id2 = 9,4 А,... Транзистори Корпус: POWER-33 Од.
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 52 Stücke:
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
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Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
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