Technische Details FDMC86262P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.307 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: Power 33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.241ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.307ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FDMC86262P nach Preis ab 0.86 EUR bis 5.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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FDMC86262P | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86262P | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86262P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 5728 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86262P | onsemi / Fairchild |
MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO |
auf Bestellung 23150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86262P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.307 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: Power 33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.241ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.307ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2887 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86262P | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V |
auf Bestellung 8083 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86262P | onsemi |
MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO |
auf Bestellung 18870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86262P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.307 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.307ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2887 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86262P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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FDMC86262P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FDMC86262P | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDMC86262P |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.86 EUR |
| FDMC86262P |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V
Description: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.93 EUR |
| 6000+ | 0.87 EUR |
| FDMC86262P |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 5728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 457+ | 1.43 EUR |
| 507+ | 1.27 EUR |
| 1000+ | 1.14 EUR |
| FDMC86262P |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO
MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO
auf Bestellung 23150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.62 EUR |
| 10+ | 1.31 EUR |
| 100+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.99 EUR |
| 3000+ | 0.89 EUR |
| FDMC86262P |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.307 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.241ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.307ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.307 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.241ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.307ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.08 EUR |
| 114+ | 1.89 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
| FDMC86262P |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V
Description: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V
auf Bestellung 8083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.62 EUR |
| 10+ | 2.31 EUR |
| 100+ | 1.55 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| 1000+ | 1.13 EUR |
| FDMC86262P |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO
MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO
auf Bestellung 18870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.64 EUR |
| 10+ | 2.32 EUR |
| 100+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.24 EUR |
| 1000+ | 1.13 EUR |
| 3000+ | 1 EUR |
| FDMC86262P |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.307 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.307ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.307 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.307ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 47+ | 5.32 EUR |
| 76+ | 3.08 EUR |
| 114+ | 1.89 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
| FDMC86262P |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDMC86262P |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDMC86262P |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)