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Technische Details FDMD82100L onsemi / Fairchild
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12, Case: PQFN12, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 24A, On-state resistance: 36mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 38W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 24nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 80A, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FDMD82100L nach Preis ab 2.26 EUR bis 4.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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FDMD82100L | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP |
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| FDMD82100L | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12 Case: PQFN12 Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 24nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMD82100L | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP |
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| FDMD82100L | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12 Case: PQFN12 Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 24nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD |
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