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Technische Details FDMD82100L onsemi / Fairchild
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12, Kind of channel: enhancement, Case: PQFN12, Type of transistor: N-MOSFET x2, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Gate charge: 24nC, On-state resistance: 36mΩ, Power dissipation: 38W, Gate-source voltage: ±20V, Drain current: 24A, Pulsed drain current: 80A, Drain-source voltage: 100V, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FDMD82100L nach Preis ab 2.26 EUR bis 4.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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FDMD82100L | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP |
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| FDMD82100L | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12 Kind of channel: enhancement Case: PQFN12 Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 24nC On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 38W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 24A Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMD82100L | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP |
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| FDMD82100L | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12 Kind of channel: enhancement Case: PQFN12 Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 24nC On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 38W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 24A Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
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