
FDMD8240LET40 onsemi / Fairchild
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Technische Details FDMD8240LET40 onsemi / Fairchild
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 73A; Idm: 489A; 50W; PQFN12, Case: PQFN12, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 73A, On-state resistance: 4.3mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 50W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 56nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 489A, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FDMD8240LET40
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FDMD8240LET40 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 73A; Idm: 489A; 50W; PQFN12 Case: PQFN12 Drain-source voltage: 40V Drain current: 73A On-state resistance: 4.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 56nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 489A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMD8240LET40 | Hersteller : onsemi |
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FDMD8240LET40 | Hersteller : onsemi |
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FDMD8240LET40 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 73A; Idm: 489A; 50W; PQFN12 Case: PQFN12 Drain-source voltage: 40V Drain current: 73A On-state resistance: 4.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 56nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 489A Mounting: SMD |
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