FDMD8260L onsemi / Fairchild
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Technische Details FDMD8260L onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDMD8260L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 64 A, 64 A, 0.0045 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 64A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 37W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 37W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDMD8260L | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDMD8260L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 64 A, 64 A, 0.0045 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 64A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 37W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 37W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| FDMD8260L | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER Packaging: Bulk Package / Case: 12-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5245pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 12-Power3.3x5 Part Status: Active |
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| FDMD8260L | Hersteller : ONSEMI |
FDMD8260L Multi channel transistors |
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