FDME910PZT ON Semiconductor / Fairchild
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Technische Details FDME910PZT ON Semiconductor / Fairchild
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.1W; uDFN6, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Case: uDFN6, Type of transistor: P-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -8A, On-state resistance: 36mΩ, Power dissipation: 2.1W, Gate-source voltage: ±8V.
Weitere Produktangebote FDME910PZT
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FDME910PZT | Hersteller : ON Semiconductor |
 Description: MOSFET P CH 20V 8A MICROFET |
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FDME910PZT | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: MOSFET P CH 20V 8A MICROFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDME910PZT | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.1W; uDFN6 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: uDFN6 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -8A On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 2.1W Gate-source voltage: ±8V |
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