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FDMS3660S

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Produktcode: 104042
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8542399000
8542 39 90 00
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMS3660S FDMS3660S ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.42 EUR
124+1.39 EUR
125+1.36 EUR
500+1.32 EUR
3000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
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FDMS3660S FDMS3660S ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S onsemi fdms3660s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS3660S FDMS3660S ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 111815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+2.5 EUR
500+2.23 EUR
1000+2 EUR
10000+1.75 EUR
100000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
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FDMS3660S FDMS3660S ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+2.5 EUR
500+2.23 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.52 EUR
84+2.06 EUR
100+1.73 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.52 EUR
84+2.01 EUR
100+1.67 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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FDMS3660S FDMS3660S onsemi / Fairchild FDMS3660S-D.PDF MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 9400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+2.23 EUR
100+1.87 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.68 EUR
3000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDMS3660S FDMS3660S ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.06 EUR
40+2.17 EUR
46+1.87 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S onsemi fdms3660s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
auf Bestellung 7957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
10+2.7 EUR
100+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FDMS3660S FDMS3660S onsemi fdms3660s-d.pdf MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 7886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.42 EUR
100+2.4 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.76 EUR
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FDMS3660S FDMS3660S ONSEMI 2303917.pdf Description: ONSEMI - FDMS3660S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 1300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.38 EUR
69+3.42 EUR
100+2.68 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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FDMS3660S FDMS3660S ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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FDMS3660S ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
123+1.42 EUR
124+1.39 EUR
125+1.36 EUR
500+1.32 EUR
3000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
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FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
113+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS3660S
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 111815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
261+2.5 EUR
500+2.23 EUR
1000+2 EUR
10000+1.75 EUR
100000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
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FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
261+2.5 EUR
500+2.23 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDMS3660S
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+2.52 EUR
84+2.06 EUR
100+1.73 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+2.52 EUR
84+2.01 EUR
100+1.67 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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FDMS3660S
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 9400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.75 EUR
10+2.23 EUR
100+1.87 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.68 EUR
3000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDMS3660S
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+3.06 EUR
40+2.17 EUR
46+1.87 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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FDMS3660S
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
auf Bestellung 7957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.8 EUR
10+2.7 EUR
100+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Hersteller: onsemi
MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 7886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.21 EUR
10+3.42 EUR
100+2.4 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDMS3660S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS3660S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 1300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+5.38 EUR
69+3.42 EUR
100+2.68 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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