FDMS3660S
Produktcode: 104042
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
8542399000
8542 39 90 00
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote FDMS3660S nach Preis ab 0.99 EUR bis 3.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS3660S | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS3660S | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS3660S | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: Power56 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS3660S | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 1820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS3660S | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 111815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS3660S | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: PQFN8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 29/87nC On-state resistance: 11/2.6mΩ Power dissipation: 2.2/2.5W Gate-source voltage: ±20/±12V Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 30/60A |
auf Bestellung 2586 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS3660S | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 9400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS3660S | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: Power56 |
auf Bestellung 7957 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS3660S | Hersteller : onsemi |
MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 8493 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS3660S | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS3660S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 1300 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1300µohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1300µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
FDMS3660S | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
FDMS3660S | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
| FDMS3660S | Hersteller : ON Semiconductor |
|
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||
|
|
FDMS3660S | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
FDMS3660S | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |