Produkte > ON SEMICONDUCTOR > FDMS3660S
FDMS3660S

FDMS3660S ON Semiconductor

fdms3660s-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
123+1.19 EUR
124+1.14 EUR
125+1.09 EUR
500+1.05 EUR
3000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDMS3660S ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS3660S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0013 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0013ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0013ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote FDMS3660S nach Preis ab 1.11 EUR bis 3.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDMS3660S FDMS3660S Hersteller : onsemi fdms3660s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S Hersteller : ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
40+1.79 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
250+1.44 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S Hersteller : ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
40+1.79 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
250+1.44 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S Hersteller : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
261+2.10 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 261
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S Hersteller : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 111815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
261+2.10 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.61 EUR
10000+1.38 EUR
100000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 261
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S Hersteller : onsemi fdms3660s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
auf Bestellung 7957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.19 EUR
10+2.27 EUR
100+1.60 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S Hersteller : onsemi / Fairchild fdms3660s-d.pdf MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 9387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.43 EUR
10+2.45 EUR
100+1.71 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S Hersteller : ONSEMI fdms3660s-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS3660S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S Hersteller : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S Hersteller : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S
Produktcode: 104042
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

fdms3660s-d.pdf
8542399000
8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S Hersteller : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S Hersteller : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S Hersteller : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S Hersteller : ON Semiconductor fdms3660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH