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FDMS3672

FDMS3672 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin MLP EP T/R
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Technische Details FDMS3672 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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FDMS3672 FDMS3672 onsemi fdms3672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc)
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FDMS3672 FDMS3672 ON Semiconductor fdms3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMS3672 FDMS3672 onsemi fdms3672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V
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Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V
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