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Technische Details FDMS3D5N08LC onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 86A; Idm: 745A; 125W; Power56, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 86A, Pulsed drain current: 745A, Power dissipation: 125W, Case: Power56, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 82nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FDMS3D5N08LC
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| FDMS3D5N08LC | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDMS3D5N08LC | Hersteller : ON Semiconductor |
 MOSFET, N-Channel Shielded Gate, POWERTRENCH |
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| FDMS3D5N08LC | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 86A; Idm: 745A; 125W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 86A Pulsed drain current: 745A Power dissipation: 125W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 82nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FDMS3D5N08LC | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 86A; Idm: 745A; 125W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 86A Pulsed drain current: 745A Power dissipation: 125W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 82nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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