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FDMS4435BZ

FDMS4435BZ ON Semiconductor

fdms4435bz-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details FDMS4435BZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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FDMS4435BZ FDMS4435BZ Hersteller : ON Semiconductor fdms4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS4435BZ FDMS4435BZ Hersteller : ON Semiconductor fdms4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS4435BZ FDMS4435BZ Hersteller : onsemi FDMS4435BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
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FDMS4435BZ FDMS4435BZ Hersteller : Fairchild Semiconductor fdms4435bz-d.pdf Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
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FDMS4435BZ FDMS4435BZ Hersteller : ONSEMI FDMS4435BZ-D.PDF fdms4435bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2347 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.07 EUR
52+1.38 EUR
81+0.89 EUR
86+0.84 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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FDMS4435BZ FDMS4435BZ Hersteller : ONSEMI FDMS4435BZ-D.PDF fdms4435bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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52+1.38 EUR
81+0.89 EUR
86+0.84 EUR
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Mindestbestellmenge: 35
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FDMS4435BZ FDMS4435BZ Hersteller : onsemi / Fairchild FDMS4435BZ-D.PDF fdms4435bz-d.pdf MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET
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2+2.55 EUR
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500+1.02 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
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FDMS4435BZ FDMS4435BZ Hersteller : onsemi FDMS4435BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
auf Bestellung 17626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+2.96 EUR
10+1.96 EUR
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500+1.05 EUR
1000+0.96 EUR
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FDMS4435BZ FDMS4435BZ Hersteller : ONSEMI 2304887.pdf Description: ONSEMI - FDMS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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FDMS4435BZ FDMS4435BZ Hersteller : ON Semiconductor 3667542297313389fdms4435bz.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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FDMS4435BZ FDMS4435BZ Hersteller : ON Semiconductor fdms4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
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