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FDMS7570S

FDMS7570S ON Semiconductor

fdms7570s-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 25V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details FDMS7570S ON Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 13 V.

Weitere Produktangebote FDMS7570S nach Preis ab 0.72 EUR bis 1.07 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDMS7570S FDMS7570S Hersteller : ON Semiconductor fdms7570s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS7570S FDMS7570S Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002366316-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 13 V
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FDMS7570S FDMS7570S Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild FDMS7570S-1295057.pdf MOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
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