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FDMS7602S

FDMS7602S onsemi

fdms7602s-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 17A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Technische Details FDMS7602S onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 17A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56.

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FDMS7602S FDMS7602S Hersteller : ON Semiconductor fdms7602s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/17A 8-Pin DFN EP T/R
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109+1.3 EUR
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FDMS7602S FDMS7602S Hersteller : ON Semiconductor fdms7602s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/17A 8-Pin DFN EP T/R
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FDMS7602S FDMS7602S Hersteller : ON Semiconductor fdms7602s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/17A 8-Pin DFN EP T/R
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86+1.65 EUR
109+1.25 EUR
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500+0.78 EUR
1000+0.69 EUR
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FDMS7602S FDMS7602S Hersteller : onsemi / Fairchild FDMS7602S-D.pdf MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench
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2+2.66 EUR
10+2.01 EUR
100+1.31 EUR
500+1.1 EUR
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3000+0.89 EUR
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FDMS7602S FDMS7602S Hersteller : onsemi fdms7602s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 17A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
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10+2.01 EUR
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Mindestbestellmenge: 6
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