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FDMS7608S

FDMS7608S ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 2610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details FDMS7608S ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56, Supplier Device Package: Power56, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 1W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

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FDMS7608S FDMS7608S ON Semiconductor fdms7608s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
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FDMS7608S FDMS7608S onsemi fdms7608s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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FDMS7608S FDMS7608S onsemi / Fairchild FDMS7608S-D.pdf MOSFETs PT7 Nch 30/20V & PT8 Nch 30/20V
auf Bestellung 8590 Stücke:
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4+0.82 EUR
10+0.78 EUR
100+0.77 EUR
500+0.76 EUR
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FDMS7608S FDMS7608S Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003585462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
auf Bestellung 1290 Stücke:
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FDMS7608S FDMS7608S ON Semiconductor fdms7608s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FDMS7608S FDMS7608S onsemi fdms7608s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MOSFETs PT7 Nch 30/20V & PT8 Nch 30/20V
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FDMS7608S
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
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589+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 589
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FDMS7608S
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Anzahl Preis
557+0.97 EUR
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Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
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12+1.58 EUR
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500+1.04 EUR
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Mindestbestellmenge: 10
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