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FDMS8018

FDMS8018 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details FDMS8018 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0018 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 83W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMS8018 FDMS8018 ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS8018 FDMS8018 ON Semiconductor 3675958030682275fdms8018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS8018 FDMS8018 onsemi fdms8018-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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FDMS8018 FDMS8018 ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
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111+1.58 EUR
126+1.34 EUR
144+1.14 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.92 EUR
3000+0.81 EUR
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FDMS8018 FDMS8018 ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
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FDMS8018 FDMS8018 ONSEMI 2724476.pdf Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0018 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
auf Bestellung 2401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.37 EUR
140+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDMS8018 FDMS8018 onsemi fdms8018-d.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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1+3.75 EUR
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FDMS8018 FDMS8018 ONSEMI 2724476.pdf Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0018 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
auf Bestellung 2401 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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FDMS8018 FDMS8018 onsemi fdms8018-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
auf Bestellung 20164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.84 EUR
10+3.12 EUR
100+2.13 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.57 EUR
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FDMS8018 ONN fdms8018-d.pdf
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FDMS8018
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS8018
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+1.38 EUR
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FDMS8018
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3000+1.43 EUR
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FDMS8018 fdms8018-d.pdf
FDMS8018
Hersteller: ON Semiconductor
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FDMS8018
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2590 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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FDMS8018
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0018 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
auf Bestellung 2401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.37 EUR
140+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDMS8018
Hersteller: onsemi
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.75 EUR
10+2.39 EUR
100+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDMS8018
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0018 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
auf Bestellung 2401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+4.2 EUR
99+2.37 EUR
140+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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FDMS8018
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
auf Bestellung 20164 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5+4.84 EUR
10+3.12 EUR
100+2.13 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8018 fdms8018-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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