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FDMS8090

FDMS8090 ON Semiconductor

fdms8090-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2335 Stücke:
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Technische Details FDMS8090 ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56.

Weitere Produktangebote FDMS8090 nach Preis ab 5.27 EUR bis 14.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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FDMS8090 FDMS8090 onsemi fdms8090-d.pdf MOSFETs 100V Sym Dual NCh MOSFET PowerTrench
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FDMS8090 FDMS8090 onsemi fdms8090-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
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10+9.83 EUR
100+7.18 EUR
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
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