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FDMS8320L

FDMS8320L ON Semiconductor

fdms8320l-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details FDMS8320L ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V.

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FDMS8320L FDMS8320L Hersteller : onsemi fdms8320l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V
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FDMS8320L FDMS8320L Hersteller : onsemi / Fairchild FDMS8320L_D-2312498.pdf MOSFET 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET
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FDMS8320L FDMS8320L Hersteller : onsemi fdms8320l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V
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FDMS8320L FDMS8320L Hersteller : ON Semiconductor fdms8320l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS8320L FDMS8320L Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013339751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 800 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
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FDMS8320L FDMS8320L Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013339751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 800 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
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