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FDMS86101DC

FDMS86101DC ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
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Technische Details FDMS86101DC ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 125W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Dual Cool 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMS86101DC FDMS86101DC ON Semiconductor fdms86101dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
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FDMS86101DC FDMS86101DC onsemi fdms86101dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3135 pF @ 50 V
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FDMS86101DC FDMS86101DC ONSEMI 2552627.pdf Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
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37+4.66 EUR
38+4.38 EUR
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500+3.32 EUR
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FDMS86101DC FDMS86101DC onsemi / Fairchild FDMS86101DC-D.PDF MOSFETs 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET
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FDMS86101DC FDMS86101DC onsemi fdms86101dc-d.pdf MOSFETs 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET
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FDMS86101DC FDMS86101DC onsemi fdms86101dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3135 pF @ 50 V
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FDMS86101DC FDMS86101DC ONSEMI fdms86101dc-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
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FDMS86101DC FDMS86101DC ON Semiconductor fdms86101dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
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FDMS86101DC FDMS86101DC ONSEMI fdms86101dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FDMS86101DC
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
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FDMS86101DC
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3135 pF @ 50 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
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3000+3.89 EUR
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FDMS86101DC
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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154+4.36 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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FDMS86101DC 2552627.pdf
FDMS86101DC
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 3990 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+5.4 EUR
500+4.61 EUR
1500+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDMS86101DC
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+6.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86101DC
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 1587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+6.62 EUR
37+4.77 EUR
38+4.55 EUR
100+3.94 EUR
250+3.83 EUR
500+3.69 EUR
1000+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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FDMS86101DC
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 1587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+6.62 EUR
37+4.66 EUR
38+4.38 EUR
100+3.74 EUR
250+3.53 EUR
500+3.32 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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FDMS86101DC
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.1 EUR
10+5.05 EUR
100+4.33 EUR
500+4.32 EUR
1000+4.25 EUR
3000+3.69 EUR
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FDMS86101DC
Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 13384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.5 EUR
10+5.51 EUR
100+5.02 EUR
500+4.55 EUR
1000+4.38 EUR
3000+4.3 EUR
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FDMS86101DC
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3135 pF @ 50 V
auf Bestellung 20169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+10.95 EUR
10+7.32 EUR
50+5.75 EUR
100+5.25 EUR
500+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDMS86101DC
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.99 EUR
50+6.64 EUR
100+5.57 EUR
500+4.82 EUR
1500+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101DC fdms86101dc-d.pdf
FDMS86101DC
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDMS86101DC
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2993 Stücke:
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