Produkte > ONSEMI > FDMS86103L
FDMS86103L

FDMS86103L onsemi

fdms86103l-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDMS86103L onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V.

Weitere Produktangebote FDMS86103L nach Preis ab 1.8 EUR bis 5.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDMS86103L FDMS86103L Hersteller : onsemi / Fairchild FDMS86103L-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 35503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.16 EUR
10+2.06 EUR
500+1.97 EUR
1000+1.92 EUR
3000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86103L FDMS86103L Hersteller : onsemi fdms86103l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 6565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.25 EUR
10+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86103L FDMS86103L Hersteller : onsemi fdms86103l-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 31957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.14 EUR
10+2.97 EUR
100+2.16 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86103L FDMS86103L Hersteller : ON Semiconductor fdms86103ld.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+5.62 EUR
40+3.54 EUR
100+2.39 EUR
500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86103L FDMS86103L Hersteller : ON Semiconductor fdms86103ld.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+5.62 EUR
40+3.54 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86103L Hersteller : ON Semiconductor fdms86103l-d.pdf
auf Bestellung 10410 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH