FDMS86181 onsemi / Fairchild
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.33 EUR |
| 10+ | 2.41 EUR |
| 100+ | 2.01 EUR |
| 1000+ | 1.97 EUR |
| 3000+ | 1.75 EUR |
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Technische Details FDMS86181 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDMS86181 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 0.0042 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 124A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FDMS86181 nach Preis ab 2.65 EUR bis 5.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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FDMS86181 | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4125 pF @ 50 V |
auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS86181 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86181 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 0.0042 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 124A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1318 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86181 | Hersteller : ONN |
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auf Bestellung 5870 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDMS86181 | Hersteller : ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 124 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4125, Qg, нКл = 59, Rds = 4,2 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerPQFN-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 10 Stücke: |