FDMS86181 ON Semiconductor
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Technische Details FDMS86181 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86181 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 0.0033 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 124A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDMS86181 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86181 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4125 pF @ 50 V |
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FDMS86181 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V/20V N-Chnl Power Trench MOSFET |
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FDMS86181 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86181 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 0.0033 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 124A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm |
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FDMS86181 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86181 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 0.0033 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 124A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm |
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FDMS86181 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86181 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86181 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R |
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| FDMS86181 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 78A; 125W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 78A Power dissipation: 125W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS86181 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4125 pF @ 50 V |
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| FDMS86181 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 78A; 125W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 78A Power dissipation: 125W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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