FDMS86182 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 1.39 EUR |
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Technische Details FDMS86182 onsemi
Description: ONSEMI - FDMS86182 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0059 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDMS86182 nach Preis ab 1.44 EUR bis 4.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FDMS86182 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86182 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86182 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86182 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET |
auf Bestellung 18677 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS86182 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V |
auf Bestellung 4553 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS86182 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86182 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0059 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 7170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86182 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86182 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0059 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 7170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86182 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDMS86182 Produktcode: 209891
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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FDMS86182 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMS86182 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMS86182 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 364A; 83W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 49A Pulsed drain current: 364A Power dissipation: 83W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FDMS86182 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 364A; 83W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 49A Pulsed drain current: 364A Power dissipation: 83W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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