Weitere Produktangebote FDMS86182 nach Preis ab 1.26 EUR bis 4.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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FDMS86182 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86182 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86182 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS86182 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET |
auf Bestellung 13972 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS86182 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS86182 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86182 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 5900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86182 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86182 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 5900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86182 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDMS86182 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R |
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| L3751PUR Produktcode: 190603
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