FDMS86201 ON Semiconductor
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| 3000+ | 1.58 EUR |
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Technische Details FDMS86201 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 0.0096 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDMS86201 nach Preis ab 1.58 EUR bis 4.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDMS86201 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86201 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86201 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86201 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86201 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86201 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86201 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86201 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 60 V |
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FDMS86201 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86201 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86201 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 120V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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FDMS86201 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 60 V |
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FDMS86201 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 0.0096 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FDMS86201 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS86201 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86201 | Hersteller : ON Semiconductor |
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| FDMS86201 | Hersteller : ONSEMI |
FDMS86201 SMD N channel transistors |
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