FDMS86201 onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 60 V
| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 1.73 EUR |
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Technische Details FDMS86201 onsemi
Description: ONSEMI - FDMS86201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 9600 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm.
Weitere Produktangebote FDMS86201 nach Preis ab 1.71 EUR bis 5.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FDMS86201 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 120V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 29122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS86201 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 120V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 24953 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS86201 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 60 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS86201 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86201 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 9600 µohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm |
auf Bestellung 6605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86201 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86201 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 19815 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |


