Technische Details FDMS8622 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.056 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 31W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm.
Weitere Produktangebote FDMS8622 nach Preis ab 0.62 EUR bis 3.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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FDMS8622 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS8622 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 16.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS8622 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 13244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS8622 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 16.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V |
auf Bestellung 9793 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS8622 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.056 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 31W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm |
auf Bestellung 2625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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FDMS8622 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.056 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 31W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm |
auf Bestellung 2625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDMS8622 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.67 EUR |
| 6000+ | 0.62 EUR |
| FDMS8622 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 1.01 EUR |
| 6000+ | 0.98 EUR |
| FDMS8622 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 13244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.56 EUR |
| 10+ | 1.61 EUR |
| 100+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| 3000+ | 0.65 EUR |
| FDMS8622 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V
auf Bestellung 9793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.71 EUR |
| 10+ | 2.34 EUR |
| 100+ | 1.58 EUR |
| 500+ | 1.25 EUR |
| 1000+ | 1.14 EUR |
| FDMS8622 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.056 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.056 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDMS8622 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.056 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.056 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)