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FDMS86250

FDMS86250 ON Semiconductor

3666045243430781fdms86250.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details FDMS86250 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 75 V.

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FDMS86250 FDMS86250 Hersteller : ON Semiconductor 3666045243430781fdms86250.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86250 FDMS86250 Hersteller : ON Semiconductor 3666045243430781fdms86250.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86250 FDMS86250 Hersteller : ON Semiconductor 3666045243430781fdms86250.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86250 FDMS86250 Hersteller : onsemi fdms86250-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 75 V
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FDMS86250 FDMS86250 Hersteller : ON Semiconductor 3666045243430781fdms86250.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86250 FDMS86250 Hersteller : onsemi fdms86250-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
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FDMS86250 FDMS86250 Hersteller : onsemi / Fairchild FDMS86250_D-1808104.pdf MOSFET FET 150V 25.0 MOHM PQFN56
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FDMS86250 FDMS86250 Hersteller : ONSEMI 2729310.pdf Description: ONSEMI - FDMS86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.019 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 395 Stücke:
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FDMS86250 FDMS86250 Hersteller : ONSEMI 2729310.pdf Description: ONSEMI - FDMS86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.019 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
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