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FDMS86255

FDMS86255 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
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Technische Details FDMS86255 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 113W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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FDMS86255 FDMS86255 onsemi fdms86255-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
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FDMS86255 FDMS86255 ONSEMI 3974159.pdf Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
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FDMS86255 FDMS86255 ON Semiconductor fdms86255-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86255 FDMS86255 ON Semiconductor fdms86255-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
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FDMS86255 FDMS86255 onsemi / Fairchild FDMS86255-D.PDF MOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
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FDMS86255 FDMS86255 onsemi fdms86255-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
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3+10.34 EUR
10+6.89 EUR
100+4.94 EUR
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10+7.64 EUR
100+5.62 EUR
500+4.99 EUR
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FDMS86255 FDMS86255 ONSEMI 3974159.pdf Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
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20+12.7 EUR
50+7.47 EUR
100+5.41 EUR
500+4.82 EUR
1500+4.5 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
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3000+3.28 EUR
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Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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FDMS86255
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Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+3.52 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
auf Bestellung 69000 Stücke:
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3000+3.64 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+3.77 EUR
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auf Bestellung 213 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
44+3.96 EUR
47+3.65 EUR
48+3.56 EUR
100+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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154+4.24 EUR
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auf Bestellung 20737 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
154+4.24 EUR
500+3.96 EUR
1000+3.65 EUR
10000+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2595 Stücke:
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154+4.24 EUR
500+3.96 EUR
1000+3.65 EUR
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154+4.24 EUR
500+3.96 EUR
1000+3.65 EUR
10000+3.37 EUR
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Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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3000+4.58 EUR
6000+4.14 EUR
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300+4.64 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
auf Bestellung 13525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.41 EUR
500+4.82 EUR
1500+4.5 EUR
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FDMS86255
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+6.27 EUR
35+4.87 EUR
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FDMS86255
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
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500+4.27 EUR
1000+3.97 EUR
3000+3.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86255 fdms86255-d.pdf
FDMS86255
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+7.31 EUR
100+4.99 EUR
250+4.77 EUR
500+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDMS86255
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
auf Bestellung 70685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10.34 EUR
10+6.89 EUR
100+4.94 EUR
500+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDMS86255
Hersteller: onsemi
MOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 18330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.65 EUR
10+7.64 EUR
100+5.62 EUR
500+4.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDMS86255
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
auf Bestellung 13525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.7 EUR
50+7.47 EUR
100+5.41 EUR
500+4.82 EUR
1500+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONN
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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