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FDMS86255

FDMS86255 ON Semiconductor

fdms86255-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
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Technische Details FDMS86255 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDMS86255 FDMS86255 Hersteller : onsemi / Fairchild fdms86255-d.pdf MOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
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FDMS86255 FDMS86255 Hersteller : onsemi fdms86255-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
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FDMS86255 FDMS86255 Hersteller : ONSEMI 3974159.pdf Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FDMS86255 FDMS86255 Hersteller : ONSEMI 3974159.pdf Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FDMS86255 Hersteller : ONSEMI fdms86255-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 271A; 113W; PQFN8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 271A
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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FDMS86255 FDMS86255 Hersteller : onsemi fdms86255-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
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FDMS86255 FDMS86255 Hersteller : ON Semiconductor fdms86255-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
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FDMS86255 FDMS86255 Hersteller : ON Semiconductor fdms86255-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
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FDMS86255 Hersteller : ONSEMI fdms86255-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 271A; 113W; PQFN8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 271A
Mounting: SMD
Case: PQFN8
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