FDMS86300DC ON Semiconductor
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Technische Details FDMS86300DC ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86300DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 76 A, 2600 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDMS86300DC nach Preis ab 1.73 EUR bis 4.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDMS86300DC | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin Power 56 T/R |
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FDMS86300DC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86300DC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R |
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FDMS86300DC | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7005 pF @ 40 V |
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FDMS86300DC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86300DC | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7005 pF @ 40 V |
auf Bestellung 5774 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS86300DC | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 42812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS86300DC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86300DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 76 A, 2600 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86300DC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin Power 56 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86300DC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMS86300DC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R |
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