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Technische Details FDMS9600S onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDMS9600S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.007 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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FDMS9600S | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDMS9600S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.007 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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FDMS9600S | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS9600S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.007 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS9600S | Hersteller : Fairchild |
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FDMS9600S | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/16A 8-Pin MLP EP T/R |
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FDMS9600S | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/16A 8-Pin MLP EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMS9600S | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 32/30A; Idm: 60A; 2.5W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 32/30A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 2.5W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20/±20V On-state resistance: 13/8.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13/29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS9600S | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A 8MLP PWR56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1705pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 |
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| FDMS9600S | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 32/30A; Idm: 60A; 2.5W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 32/30A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 2.5W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20/±20V On-state resistance: 13/8.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13/29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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