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FDN336P

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Produktcode: 135239
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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FDN336P FDN336P onsemi fdn336p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDN336P FDN336P ON-Semiconductor TFDN336p_0001.pdf P-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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FDN336P FDN336P onsemi / Fairchild FDN336P_D-2312957.pdf MOSFET SSOT-3 P-CH -20V
auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.7 EUR
10+0.6 EUR
100+0.41 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
45000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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FDN336P FDN336P onsemi fdn336p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 17477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.11 EUR
26+0.69 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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FDN336P FDN336P ONSEMI fdn336p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.2 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDN336P fdn336p-d.pdf
FDN336P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.24 EUR
6000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDN336P TFDN336p_0001.pdf
FDN336P
Hersteller: ON-Semiconductor
P-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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FDN336P FDN336P_D-2312957.pdf
FDN336P
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET SSOT-3 P-CH -20V
auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.7 EUR
10+0.6 EUR
100+0.41 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
45000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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FDN336P fdn336p-d.pdf
FDN336P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 17477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.11 EUR
26+0.69 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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FDN336P fdn336p-d.pdf
FDN336P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.2 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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