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FDN336P

fdn336p-d.pdf 5399_FDN336P%20SOT-23.PDF d6d76475ecb2c2c22fe557c8e48c5d96.pdf FAIRS23417-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDN336P FDN336P Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_FDN336P%20SOT-23.PDF Description: 20V 2A 150M@2.5V,1.5A 500MW 1V 1
auf Bestellung 14848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.056 EUR
6000+0.05 EUR
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FDN336P FDN336P UMW d6d76475ecb2c2c22fe557c8e48c5d96.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.15 EUR
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FDN336P FDN336P ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
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3000+0.29 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN336P FDN336P ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN336P FDN336P ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3565 Stücke:
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2211+0.3 EUR
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FDN336P FDN336P ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2211+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2211 Stücke
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FDN336P FDN336P onsemi fdn336p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 69000 Stücke:
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3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN336P FDN336P ON Semiconductor fdn336p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1250 Stücke:
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500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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FDN336P FDN336P Fairchild Semiconductor FAIRS23417-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
auf Bestellung 8265 Stücke:
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1468+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1468 Stücke
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FDN336P FDN336P ON-Semiconductor TFDN336p_0001.pdf P-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDN336P FDN336P UMW d6d76475ecb2c2c22fe557c8e48c5d96.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
47+0.45 EUR
100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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FDN336P FDN336P ONSEMI FDN336P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+0.9 EUR
121+0.7 EUR
139+0.61 EUR
198+0.43 EUR
229+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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FDN336P FDN336P onsemi fdn336p-d.pdf 5399_FDN336P%20SOT-23.PDF d6d76475ecb2c2c22fe557c8e48c5d96.pdf FAIRS23417-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
auf Bestellung 5824 Stücke:
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3+1.33 EUR
10+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
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FDN336P FDN336P onsemi fdn336p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 69551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
25+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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FDN336P FDN336P ONSEMI ONSM-S-A0013339721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.2 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 7815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
260+0.89 EUR
405+0.52 EUR
530+0.4 EUR
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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FDN336P FDN336P ONSEMI ONSM-S-A0013339721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.2 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 7815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
260+0.89 EUR
405+0.52 EUR
530+0.4 EUR
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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FDN336P 5399_FDN336P%20SOT-23.PDF
FDN336P
Hersteller: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 20V 2A 150M@2.5V,1.5A 500MW 1V 1
auf Bestellung 14848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.056 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P d6d76475ecb2c2c22fe557c8e48c5d96.pdf
FDN336P
Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P fdn336p-d.pdf
FDN336P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.29 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P fdn336p-d.pdf
FDN336P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P fdn336p-d.pdf
FDN336P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2211+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2211 Stücke
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FDN336P fdn336p-d.pdf
FDN336P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2211+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P fdn336p-d.pdf
FDN336P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN336P fdn336p-d.pdf
FDN336P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P FAIRS23417-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDN336P
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
auf Bestellung 8265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1468+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1468 Stücke
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FDN336P TFDN336p_0001.pdf
FDN336P
Hersteller: ON-Semiconductor
P-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P d6d76475ecb2c2c22fe557c8e48c5d96.pdf
FDN336P
Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+0.74 EUR
47+0.45 EUR
100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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FDN336P FDN336P.pdf
FDN336P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
95+0.9 EUR
121+0.7 EUR
139+0.61 EUR
198+0.43 EUR
229+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P fdn336p-d.pdf 5399_FDN336P%20SOT-23.PDF d6d76475ecb2c2c22fe557c8e48c5d96.pdf FAIRS23417-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDN336P
Hersteller: onsemi
MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
auf Bestellung 5824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.33 EUR
10+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P fdn336p-d.pdf
FDN336P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 69551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+1.36 EUR
25+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P ONSM-S-A0013339721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN336P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.2 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 7815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
162+1.55 EUR
260+0.89 EUR
405+0.52 EUR
530+0.4 EUR
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P ONSM-S-A0013339721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN336P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.2 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 7815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
162+1.55 EUR
260+0.89 EUR
405+0.52 EUR
530+0.4 EUR
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH