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Technische Details FDN339AN ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.
Weitere Produktangebote FDN339AN nach Preis ab 0.26 EUR bis 2.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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FDN339AN | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN339AN | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN339AN | onsemi |
MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V |
auf Bestellung 38946 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN339AN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm |
auf Bestellung 40223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN339AN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm |
auf Bestellung 40223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN339AN | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 61mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: PowerTrench® |
auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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FDN339AN | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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FDN339AN | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 46 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDN339AN |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
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| FDN339AN |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 277+ | 0.64 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| 3000+ | 0.35 EUR |
| FDN339AN |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
auf Bestellung 38946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.44 EUR |
| 10+ | 0.65 EUR |
| 100+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| 3000+ | 0.39 EUR |
| FDN339AN |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 40223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 124+ | 2.01 EUR |
| 199+ | 1.17 EUR |
| 278+ | 0.77 EUR |
| 500+ | 0.68 EUR |
| 1500+ | 0.6 EUR |
| FDN339AN |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 40223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 124+ | 2.01 EUR |
| 199+ | 1.17 EUR |
| 278+ | 0.77 EUR |
| 500+ | 0.68 EUR |
| 1500+ | 0.6 EUR |
| FDN339AN |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDN339AN |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDN339AN |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)