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FDN339AN

FDN339AN onsemi

FDN339AN-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.23 EUR
15000+0.22 EUR
21000+0.21 EUR
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Technische Details FDN339AN onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDN339AN FDN339AN ON-Semiconductor info-tfdn339an.pdf N-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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FDN339AN FDN339AN ONSEMI FDN339AN-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 10nC
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+0.79 EUR
143+0.5 EUR
163+0.44 EUR
214+0.33 EUR
239+0.3 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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FDN339AN FDN339AN onsemi FDN339AN-D.PDF MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
auf Bestellung 13245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.14 EUR
10+0.7 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
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3000+0.27 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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FDN339AN FDN339AN onsemi FDN339AN-D.PDF Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
auf Bestellung 32049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.14 EUR
25+0.71 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 10nC
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Anzahl Preis
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239+0.3 EUR
500+0.26 EUR
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Hersteller: onsemi
MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
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Anzahl Preis
3+1.14 EUR
10+0.7 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
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Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
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