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FDN339AN

FDN339AN UMW

80d2e307029b2a39a8975ca024f9089f.pdf
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 20V 3A SOT23
auf Bestellung 9000 Stücke:
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Technische Details FDN339AN UMW

Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDN339AN FDN339AN ON Semiconductor fdn339an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
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FDN339AN FDN339AN ON Semiconductor fdn339an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN339AN FDN339AN onsemi FDN339AN-D.PDF Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN339AN FDN339AN ON Semiconductor fdn339an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
277+0.63 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 277 Stücke
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FDN339AN FDN339AN ON-Semiconductor info-tfdn339an.pdf N-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FDN339AN FDN339AN UMW 80d2e307029b2a39a8975ca024f9089f.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3A SOT23
auf Bestellung 2897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
47+0.44 EUR
66+0.32 EUR
100+0.29 EUR
500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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FDN339AN FDN339AN ONSEMI FDN339AN-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+0.82 EUR
114+0.75 EUR
125+0.68 EUR
182+0.46 EUR
218+0.39 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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FDN339AN FDN339AN onsemi FDN339AN-D.PDF 80d2e307029b2a39a8975ca024f9089f.pdf MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
auf Bestellung 42720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.44 EUR
10+0.65 EUR
100+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDN339AN FDN339AN onsemi FDN339AN-D.PDF Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
auf Bestellung 17791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.46 EUR
23+0.92 EUR
50+0.67 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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FDN339AN FDN339AN ONSEMI ONSM-S-A0017607420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 40223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.01 EUR
199+1.17 EUR
278+0.77 EUR
500+0.68 EUR
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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FDN339AN FDN339AN ONSEMI ONSM-S-A0017607420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 40223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.01 EUR
199+1.17 EUR
278+0.77 EUR
500+0.68 EUR
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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FDN339AN FDN339AN ON Semiconductor fdn339an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDN339AN FDN339AN ON Semiconductor fdn339an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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FDN339AN fdn339an-d.pdf
FDN339AN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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3000+0.26 EUR
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FDN339AN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
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3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN339AN FDN339AN-D.PDF
FDN339AN
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN339AN fdn339an-d.pdf
FDN339AN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
277+0.63 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 277 Stücke
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FDN339AN info-tfdn339an.pdf
FDN339AN
Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FDN339AN 80d2e307029b2a39a8975ca024f9089f.pdf
FDN339AN
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 20V 3A SOT23
auf Bestellung 2897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+0.74 EUR
47+0.44 EUR
66+0.32 EUR
100+0.29 EUR
500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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FDN339AN FDN339AN-DTE.pdf
FDN339AN
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
105+0.82 EUR
114+0.75 EUR
125+0.68 EUR
182+0.46 EUR
218+0.39 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339AN FDN339AN-D.PDF 80d2e307029b2a39a8975ca024f9089f.pdf
FDN339AN
Hersteller: onsemi
MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
auf Bestellung 42720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.44 EUR
10+0.65 EUR
100+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339AN FDN339AN-D.PDF
FDN339AN
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
auf Bestellung 17791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+1.46 EUR
23+0.92 EUR
50+0.67 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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FDN339AN ONSM-S-A0017607420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN339AN
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 40223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
124+2.01 EUR
199+1.17 EUR
278+0.77 EUR
500+0.68 EUR
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339AN ONSM-S-A0017607420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN339AN
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 40223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
124+2.01 EUR
199+1.17 EUR
278+0.77 EUR
500+0.68 EUR
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339AN fdn339an-d.pdf
FDN339AN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDN339AN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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