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FDN359BN транзистор

Produktcode: 213980
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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FDN359BN FDN359BN Hersteller : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
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FDN359BN FDN359BN Hersteller : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN359BN FDN359BN Hersteller : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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2039+0.26 EUR
10000+0.23 EUR
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FDN359BN FDN359BN Hersteller : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN359BN FDN359BN Hersteller : onsemi fdn359bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
auf Bestellung 78000 Stücke:
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3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
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21000+0.21 EUR
30000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDN359BN FDN359BN Hersteller : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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258+0.55 EUR
318+0.43 EUR
408+0.33 EUR
506+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 258
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FDN359BN FDN359BN Hersteller : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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295+0.59 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 295
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FDN359BN FDN359BN Hersteller : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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227+0.63 EUR
292+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 227
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FDN359BN FDN359BN Hersteller : onsemi / Fairchild FDN359BN-D.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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3+0.97 EUR
10+0.65 EUR
100+0.44 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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FDN359BN FDN359BN Hersteller : onsemi fdn359bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
auf Bestellung 79130 Stücke:
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16+1.13 EUR
26+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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FDN359BN FDN359BN Hersteller : ONSEMI 2572537.pdf Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 17036 Stücke:
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FDN359BN FDN359BN Hersteller : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDN359BN FDN359BN Hersteller : ONSEMI 2572537.pdf Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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ZXM61P03FTA
Produktcode: 72847
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ZXM61P03FTA
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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