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FDN5632N-F085

FDN5632N-F085 onsemi

fdn5632n-f085-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.40 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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Technische Details FDN5632N-F085 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote FDN5632N-F085 nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.36 EUR

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FDN5632N-F085 FDN5632N-F085 Hersteller : onsemi fdn5632n-f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
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Anzahl Preis
17+1.06 EUR
20+0.91 EUR
100+0.63 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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FDN5632N-F085 FDN5632N-F085 Hersteller : ONSEMI fdn5632n-f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
103+0.70 EUR
175+0.41 EUR
185+0.39 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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FDN5632N-F085 FDN5632N-F085 Hersteller : ONSEMI fdn5632n-f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 1268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
103+0.70 EUR
175+0.41 EUR
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FDN5632N-F085 FDN5632N-F085 Hersteller : onsemi / Fairchild fdn5632n-f085-d.pdf MOSFETs Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
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10+0.96 EUR
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3000+0.37 EUR
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FDN5632N_F085 FDN5632N_F085 Hersteller : Fairchild Semiconductor FDN5632N_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
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FDN5632N_F085 FDN5632N_F085 Hersteller : Fairchild Semiconductor FDN5632N_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
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FDN5632N-F085 FDN5632N-F085 Hersteller : ON Semiconductor 3669485708877165fdn5632n_f085.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN5632N_F085 FDN5632N_F085 Hersteller : Fairchild Semiconductor FDN5632N_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
auf Bestellung 393000 Stücke:
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FDN5632N-F085 FDN5632N-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdn5632n-f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN5632N-F085 FDN5632N-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdn5632n-f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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