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FDPF18N50

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDPF18N50 FDPF18N50 ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+2.89 EUR
250+2.66 EUR
500+2.49 EUR
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FDPF18N50 FDPF18N50 onsemi fdpf18n50t-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
auf Bestellung 6371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.27 EUR
50+3.2 EUR
100+2.91 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.22 EUR
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Mindestbestellmenge: 3
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FDPF18N50 FDPF18N50 onsemi fdpf18n50t-d.pdf MOSFETs 500V N-CH MOSFET
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FDPF18N50 FDPF18N50 ON-Semiconductor info-tfdpf18n50.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke
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FDPF18N50 FDPF18N50 ONSEMI FDP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FDPF18N50 FDPF18N50 ONSEMI ONSM-S-A0013339630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.5W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 986 Stücke:
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FDPF18N50 FDPF18N50 ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FDPF18N50 FDPF18N50 ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FDPF18N50
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1600 Stücke:
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Anzahl Preis
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1000+2.36 EUR
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FDPF18N50
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 500V N-CH MOSFET
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Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50
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FDPF18N50
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FDPF18N50 ONSM-S-A0013339630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDPF18N50
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.5W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDPF18N50
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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