FDPF4N60NZ ON Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 244+ | 0.71 EUR |
| 250+ | 0.67 EUR |
| 267+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.55 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
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Technische Details FDPF4N60NZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDPF4N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.9 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 3.8, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 28, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 28, Bauform - Transistor: TO-220F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: UniFET II, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.9, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FDPF4N60NZ
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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FDPF4N60NZ | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 600V 3.8A TO220FInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
FDPF4N60NZ | onsemi / Fairchild |
MOSFETs Dual 2A High-Speed Low-Side Gate Driver |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FDPF4N60NZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF4N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.9 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 3.8 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 28 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 28 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.9 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDPF4N60NZ |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 3.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 600V 3.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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| FDPF4N60NZ |
|
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Dual 2A High-Speed Low-Side Gate Driver
MOSFETs Dual 2A High-Speed Low-Side Gate Driver
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| FDPF4N60NZ |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF4N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.9 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 3.8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.9
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDPF4N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.9 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 3.8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.9
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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