FDPF770N15A ONSEMI
Hersteller: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.06 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 21
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 70 Stücke:
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Technische Details FDPF770N15A ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.06 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 21, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 21, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
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Description: MOSFET N-CH 150V 10A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V |
Produkt ist nicht verfügbar |