| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.01 EUR |
| 10+ | 2.48 EUR |
| 100+ | 1.92 EUR |
| 500+ | 1.63 EUR |
| 1000+ | 1.52 EUR |
| 2000+ | 1.43 EUR |
| 5000+ | 1.37 EUR |
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Technische Details FDPF7N60NZ onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDPF7N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.05 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET II, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote FDPF7N60NZ
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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FDPF7N60NZ | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDPF7N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.05 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET II productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDPF7N60NZ |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF7N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.05 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDPF7N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.05 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)