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FDPF8N50NZU

FDPF8N50NZU Fairchild Semiconductor

ONSM-S-A0003584311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V
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Technische Details FDPF8N50NZU Fairchild Semiconductor

Description: ONSEMI - FDPF8N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.5 A, 1 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500, Dauer-Drainstrom Id: 6.5, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 40, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 40, Bauform - Transistor: TO-220F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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