| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.02 EUR |
| 10+ | 3.62 EUR |
| 25+ | 3.44 EUR |
| 100+ | 2.93 EUR |
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Technische Details FDPF8N60ZUT onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDPF8N60ZUT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.15 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34.5W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FDPF8N60ZUT
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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FDPF8N60ZUT | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDPF8N60ZUT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.15 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 34.5W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDPF8N60ZUT |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF8N60ZUT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.15 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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Verlustleistung: 34.5W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDPF8N60ZUT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.15 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)