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FDS2572

FDS2572 onsemi

FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details FDS2572 onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

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FDS2572 FDS2572 ON Semiconductor fds2572d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
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FDS2572 FDS2572 ON Semiconductor fds2572d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
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500+1.82 EUR
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FDS2572 FDS2572 Fairchild info-tfds2572.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 53mOhm; 4,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2572 TFDS2572
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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FDS2572 FDS2572 ONSEMI FDS2572.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2032 Stücke:
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30+2.93 EUR
44+1.94 EUR
52+1.67 EUR
100+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDS2572 FDS2572 onsemi FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
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FDS2572 FDS2572 onsemi FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1212 Stücke:
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119+1.46 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
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Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2625 Stücke:
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FDS2572
Hersteller: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 53mOhm; 4,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2572 TFDS2572
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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FDS2572
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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52+1.67 EUR
100+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDS2572 FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS2572
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
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10+2.37 EUR
100+1.9 EUR
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1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FDS2572 FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS2572
Hersteller: onsemi
MOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench
auf Bestellung 182 Stücke:
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