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FDS2670

FDS2670 onsemi

FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.27 EUR
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Technische Details FDS2670 onsemi

Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDS2670 FDS2670 Hersteller : onsemi / Fairchild FDS2670_D-2312783.pdf MOSFET SO-8 N-CH 200V
auf Bestellung 2306 Stücke:
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2+2.45 EUR
10+1.92 EUR
100+1.69 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.32 EUR
5000+1.28 EUR
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FDS2670 FDS2670 Hersteller : onsemi FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
auf Bestellung 7503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.24 EUR
10+2.74 EUR
100+1.87 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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FDS2670 FDS2670 Hersteller : ONSEMI FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS2670 FDS2670 Hersteller : ON Semiconductor 3905548776362463fds2670.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS2670 FDS2670 Hersteller : ON Semiconductor 3905548776362463fds2670.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS2670 FDS2670 Hersteller : ONSEMI FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3401 Stücke:
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FDS2670 Hersteller : FAIRCHILD FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ SO-8
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FDS2670 Hersteller : FAIRCHILD FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
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FDS2670 Hersteller : FAIRCHILD FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SO-8
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FDS2670 Hersteller : FDS FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SOP-8
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FDS2670 Hersteller : FSC FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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FDS2670 Hersteller : FSC FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+ SO-8
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS2670 FDS2670 Hersteller : ON Semiconductor 3905548776362463fds2670.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
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FDS2670 FDS2670 Hersteller : ON Semiconductor 3905548776362463fds2670.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
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FDS2670 Hersteller : ONSEMI FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS2670 SMD N channel transistors
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