Weitere Produktangebote FDS3672 nach Preis ab 0.98 EUR bis 4.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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FDS3672 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS3672 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS3672 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS3672 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS3672 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS3672 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS3672 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS3672 | Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3672 TFDS3672Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS3672 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5mW Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS3672 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5mW Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS3672 | onsemi |
MOSFETs 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V |
auf Bestellung 27258 Stücke: Lieferzeit 375-379 Tag (e) |
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FDS3672 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS3672 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Drain current: 4.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: SO8 On-state resistance: 43mΩ |
auf Bestellung 1758 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDS3672 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.02 EUR |
| FDS3672 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.06 EUR |
| 5000+ | 1.01 EUR |
| FDS3672 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.07 EUR |
| 5000+ | 1.04 EUR |
| FDS3672 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.19 EUR |
| FDS3672 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 1.32 EUR |
| 1000+ | 1.29 EUR |
| 2500+ | 1.24 EUR |
| FDS3672 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 126+ | 1.42 EUR |
| FDS3672 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 121+ | 1.48 EUR |
| 126+ | 1.37 EUR |
| 148+ | 1.12 EUR |
| 250+ | 0.98 EUR |
| FDS3672 |
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Hersteller: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3672 TFDS3672
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3672 TFDS3672
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2.19 EUR |
| FDS3672 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.64 EUR |
| 125+ | 1.73 EUR |
| 500+ | 1.32 EUR |
| 1000+ | 1.27 EUR |
| FDS3672 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 57+ | 4.43 EUR |
| 88+ | 2.64 EUR |
| 125+ | 1.73 EUR |
| 500+ | 1.32 EUR |
| 1000+ | 1.27 EUR |
| FDS3672 |
![]() |
Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
MOSFETs 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 27258 Stücke:
Lieferzeit 375-379 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.46 EUR |
| 10+ | 2.39 EUR |
| 100+ | 1.86 EUR |
| 500+ | 1.55 EUR |
| 1000+ | 1.46 EUR |
| FDS3672 |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.58 EUR |
| 10+ | 2.93 EUR |
| 50+ | 2.23 EUR |
| 100+ | 1.99 EUR |
| 500+ | 1.58 EUR |
| FDS3672 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 43mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 43mΩ
auf Bestellung 1758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)






