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FDS3692

FDS3692 onsemi

fds3692-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details FDS3692 onsemi

Description: ONSEMI - FDS3692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote FDS3692 nach Preis ab 0.82 EUR bis 3.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS3692 FDS3692 ON Semiconductor fds3692-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS3692 FDS3692 ON Semiconductor fds3692-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS3692 FDS3692 ON Semiconductor fds3692-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
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250+1.07 EUR
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FDS3692 FDS3692 ON Semiconductor fds3692-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
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535+1.21 EUR
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FDS3692 FDS3692 Fairchild info-tfds3692.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 122mOhm; 4,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3692 TFDS3692
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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25+1.44 EUR
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FDS3692 FDS3692 onsemi / Fairchild FDS3692-D.PDF MOSFETs 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V
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2+2.56 EUR
10+1.75 EUR
100+1.27 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
2500+0.82 EUR
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FDS3692 FDS3692 onsemi fds3692-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.45 EUR
10+2.2 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FDS3692 FDS3692 onsemi fds3692-d.pdf MOSFETs 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V
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10+1.58 EUR
100+1.21 EUR
500+1.01 EUR
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FDS3692 FDS3692 ONSEMI 2304486.pdf Description: ONSEMI - FDS3692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4337 Stücke:
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FDS3692 FDS3692 ONSEMI 2304486.pdf Description: ONSEMI - FDS3692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4337 Stücke:
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FDS3692 fds3692-d.pdf
FDS3692
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+0.9 EUR
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FDS3692 fds3692-d.pdf
FDS3692
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS3692 fds3692-d.pdf
FDS3692
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
155+1.13 EUR
250+1.07 EUR
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FDS3692
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
481+1.37 EUR
535+1.21 EUR
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FDS3692
Hersteller: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 122mOhm; 4,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3692 TFDS3692
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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FDS3692
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 32580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.56 EUR
10+1.75 EUR
100+1.27 EUR
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FDS3692
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.45 EUR
10+2.2 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
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FDS3692
Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 30236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.5 EUR
10+1.58 EUR
100+1.21 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.95 EUR
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FDS3692 2304486.pdf
FDS3692
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3692 2304486.pdf
FDS3692
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH