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FDS4435BZ

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Produktcode: 45479
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ZCODE: 8504 40 90 00
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Technische Details FDS4435BZ

  • Transistor
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Continuous Drain Current, Id:-8.8A
  • Drain Source Voltage, Vds:-30V
  • On Resistance, Rds(on):0.02ohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:-2.1V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS4435BZ FDS4435BZ ON Semiconductor fds4435bzd.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ FDS4435BZ UMW 64a71cc8e2eb0e26a3860e059f3e4744.pdf description Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ FDS4435BZ ON Semiconductor fds4435bzd.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
425+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ FDS4435BZ onsemi FDS4435BZ-D.PDF description Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.55 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ FDS4435BZ ON Semiconductor fds4435bzd.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.05 EUR
500+0.48 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ FDS4435BZ ON Semiconductor fds4435bzd.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.33 EUR
210+0.8 EUR
212+0.76 EUR
259+0.61 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ FDS4435BZ ON-Semiconductor info-tfds4435bz.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ FDS4435BZ UMW 64a71cc8e2eb0e26a3860e059f3e4744.pdf description Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
auf Bestellung 2738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
50+0.68 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ FDS4435BZ onsemi FDS4435BZ-D.PDF 64a71cc8e2eb0e26a3860e059f3e4744.pdf description MOSFETs 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET
auf Bestellung 35226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.3 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ FDS4435BZ onsemi FDS4435BZ-D.PDF description Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
auf Bestellung 38163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.33 EUR
50+0.99 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ FDS4435BZ ONSEMI 2304326.pdf description Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 16092 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
158+1.48 EUR
235+0.92 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ FDS4435BZ ONSEMI 2304326.pdf description Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.77 EUR
145+1.61 EUR
219+0.98 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ description fds4435bzd.pdf
FDS4435BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ description 64a71cc8e2eb0e26a3860e059f3e4744.pdf
FDS4435BZ
Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ description fds4435bzd.pdf
FDS4435BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
425+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ description FDS4435BZ-D.PDF
FDS4435BZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.55 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ description fds4435bzd.pdf
FDS4435BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
167+1.05 EUR
500+0.48 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ description fds4435bzd.pdf
FDS4435BZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
131+1.33 EUR
210+0.8 EUR
212+0.76 EUR
259+0.61 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ description info-tfds4435bz.pdf
FDS4435BZ
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ description 64a71cc8e2eb0e26a3860e059f3e4744.pdf
FDS4435BZ
Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
auf Bestellung 2738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
50+0.68 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ description FDS4435BZ-D.PDF 64a71cc8e2eb0e26a3860e059f3e4744.pdf
FDS4435BZ
Hersteller: onsemi
MOSFETs 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET
auf Bestellung 35226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.09 EUR
10+1.3 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ description FDS4435BZ-D.PDF
FDS4435BZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
auf Bestellung 38163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.12 EUR
16+1.33 EUR
50+0.99 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ description 2304326.pdf
FDS4435BZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 16092 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.59 EUR
158+1.48 EUR
235+0.92 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ description 2304326.pdf
FDS4435BZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+2.77 EUR
145+1.61 EUR
219+0.98 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH