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FDS4465

FDS4465 ON Semiconductor

fds4465-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details FDS4465 ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDS4465 FDS4465 Hersteller : onsemi fds4465-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
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FDS4465 FDS4465 Hersteller : ON Semiconductor fds4465-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS4465 FDS4465 Hersteller : ON Semiconductor fds4465-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS4465 FDS4465 Hersteller : onsemi / Fairchild fds4465-d.pdf MOSFETs SO-8
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FDS4465 FDS4465 Hersteller : onsemi fds4465-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
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FDS4465 FDS4465 Hersteller : ONSEMI FAIR-S-A0002363634-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS4465 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDS4465 Hersteller : ONSEMI fds4465-d.pdf FDS4465 SMD P channel transistors
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FDS4465 Hersteller : ON-Semicoductor fds4465-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 FDS4465 TFDS4465
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