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FDS4465

FDS4465 onsemi

fds4465-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.3 EUR
5000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details FDS4465 onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: 8-SOIC.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS4465 FDS4465 ON Semiconductor fds4465-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.15 EUR
250+1.75 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465 FDS4465 ONSEMI FDS4465.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.64 EUR
41+2.07 EUR
47+1.82 EUR
65+1.31 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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FDS4465 FDS4465 onsemi / Fairchild fds4465-d.pdf MOSFETs SO-8
auf Bestellung 1824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.03 EUR
10+2.31 EUR
100+1.64 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.25 EUR
2500+1.18 EUR
5000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS4465 FDS4465 ON-Semiconductor info-tfds4465.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 FDS4465 TFDS4465
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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FDS4465 FDS4465 onsemi fds4465-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.49 EUR
10+2.87 EUR
100+1.95 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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41+2.07 EUR
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65+1.31 EUR
100+1.27 EUR
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Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
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Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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