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FDS4685

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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FDS4685 FDS4685 ON Semiconductor fds4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.82 EUR
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FDS4685 FDS4685 ON Semiconductor fds4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
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FDS4685 FDS4685 ON Semiconductor fds4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.98 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS4685 FDS4685 onsemi / Fairchild FDS4685_D-2312997.pdf MOSFETs 40V PCH POWER TRENCH MOSFET
auf Bestellung 6867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.71 EUR
100+1.33 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.92 EUR
2500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS4685 FDS4685 Fairchild info-tfds4685.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS4685 TFDS4685
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FDS4685 FDS4685 ONSEMI 2303996.pdf Description: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 20541 Stücke:
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102+2.45 EUR
150+1.56 EUR
160+1.33 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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FDS4685 FDS4685 ONSEMI 2303996.pdf Description: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 21166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.45 EUR
150+1.56 EUR
160+1.33 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.11 EUR
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FDS4685
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS4685
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.82 EUR
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FDS4685
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.98 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS4685 FDS4685_D-2312997.pdf
FDS4685
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 40V PCH POWER TRENCH MOSFET
auf Bestellung 6867 Stücke:
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10+1.71 EUR
100+1.33 EUR
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FDS4685
Hersteller: Fairchild
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS4685 TFDS4685
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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FDS4685
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 20541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
102+2.45 EUR
150+1.56 EUR
160+1.33 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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FDS4685 2303996.pdf
FDS4685
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.2 A, 0.027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 21166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
102+2.45 EUR
150+1.56 EUR
160+1.33 EUR
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