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FDS4935A

FDS4935A Fairchild

fds4935a-datasheet.pdf
Produktcode: 40550
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1233/15
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
auf Bestellung: 123 St.
  • 123 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.09 EUR
10+0.99 EUR
100+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS4935A FDS4935A onsemi fds4935a-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.81 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A FDS4935A ON Semiconductor fds4935ad.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
656+1 EUR
1000+0.9 EUR
10000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 656 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A FDS4935A ON Semiconductor fds4935ad.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
656+1 EUR
Mindestbestellmenge: 656 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A FDS4935A ON Semiconductor fds4935ad.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.13 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
2500+0.88 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A FDS4935A ON-Semiconductor info-tfds4935a.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 2W; -55°C ~ 175°C; FDS4935A TFDS4935a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A FDS4935A onsemi fds4935a-d.pdf MOSFETs -30V Dual
auf Bestellung 13187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+1.76 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A FDS4935A onsemi fds4935a-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.01 EUR
12+1.9 EUR
50+1.42 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A FDS4935A ONSEMI 4020892.pdf Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.68 EUR
117+1.99 EUR
163+1.32 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A FDS4935A ONSEMI 4020892.pdf Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.68 EUR
117+1.99 EUR
163+1.32 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A FDS4935A ONSEMI FDS4935A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A fds4935a-d.pdf
FDS4935A
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.81 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A fds4935ad.pdf
FDS4935A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
656+1 EUR
1000+0.9 EUR
10000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 656 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A fds4935ad.pdf
FDS4935A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
656+1 EUR
Mindestbestellmenge: 656 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A fds4935ad.pdf
FDS4935A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
155+1.13 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
2500+0.88 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A info-tfds4935a.pdf
FDS4935A
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 2W; -55°C ~ 175°C; FDS4935A TFDS4935a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A fds4935a-d.pdf
FDS4935A
Hersteller: onsemi
MOSFETs -30V Dual
auf Bestellung 13187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.01 EUR
10+1.76 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A fds4935a-d.pdf
FDS4935A
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.01 EUR
12+1.9 EUR
50+1.42 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A 4020892.pdf
FDS4935A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+3.68 EUR
117+1.99 EUR
163+1.32 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A 4020892.pdf
FDS4935A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.68 EUR
117+1.99 EUR
163+1.32 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A FDS4935A.pdf
FDS4935A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

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HCPL-3120-300E
Produktcode: 122265
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oohcpl3120smd.pdf
HCPL-3120-300E
Hersteller: Avago
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SO-8
Typ: Transistor-Gate-Treiber
Isolationsspannung Uisol, kV: 3,7 кВ
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 0,5/0,5 µs
Betriebstemperatur, °C: -40…+100°С
auf Bestellung: 399 St.
  • 399 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.98 EUR
10+2.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Lochrasterplatine 6x8 einseitig, grün
Produktcode: 144390
8 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Lochrasterplatine 6x8 einseitig, grünLochrasterplatine 6x8 einseitig, grün
Lochrasterplatine 6x8 einseitig, grünLochrasterplatine 6x8 einseitig, grün
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Abmessungen: 60x80 mm
Beschreibung: Lochrasterplatine einseitig mit durchkontaktierten Bohrungen, Raster: 2.54mm, Bohrungsdurchmesser: 1mm, 594 Lötbohrungen, 4 Befestigungsbohrungen
Typ: Lochrasterplatine zum Löten
Art: einseitig
erwartet: 700 St.
  • 500 St. - erwartet 14.01.2027
  • 200 St. - erwartet
auf Bestellung: 372 St.
  • 372 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.94 EUR
10+0.84 EUR
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
0,1 Ohm 5% 1W 2512 (RL2512JK-0R1 – Hitano)
Produktcode: 3427
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
rl_20190531-hitano.pdf
0,1 Ohm 5% 1W 2512 (RL2512JK-0R1 – Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 0,1 Ohm
Toleranz: ±5%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
verfügbar: 396 St.
  • 396 St. - stock Köln
erwartet: 4000 St.
  • 4000 St. - erwartet
auf Bestellung: 1809 St.
  • 1809 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+0.09 EUR
100+0.079 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2,2uF 50V ECR 5x11mm (ECR2R2M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 3112
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ECR_081225.pdf
2,2uF 50V ECR 5x11mm (ECR2R2M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2,2 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 469 St.
  • 469 St. - stock Köln
auf Bestellung: 2168 St.
  • 2168 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+0.079 EUR
26+0.046 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 16 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100uF 50V ECR 8x12mm (ECR101M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2980
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ECR_081225.pdf
100uF 50V ECR 8x12mm (ECR101M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung: 2528 St.
  • 2528 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+0.14 EUR
11+0.11 EUR
100+0.094 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 9 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH