FDS4935A Fairchild
Produktcode: 40550
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 7
Rds(on),Om: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 1233/15
Gebr.: 2P
/: SMD
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.49 EUR |
| 10+ | 0.48 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote FDS4935A nach Preis ab 0.59 EUR bis 2.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS4935A | onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDS4935A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDS4935A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 886 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDS4935A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDS4935A | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS4935A | ON-Semiconductor |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 2W; -55°C ~ 175°C; FDS4935A TFDS4935aAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDS4935A | onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 5349 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDS4935A | onsemi |
MOSFETs -30V Dual |
auf Bestellung 13187 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDS4935A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 AtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 8435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDS4935A |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.63 EUR |
| 5000+ | 0.59 EUR |
| FDS4935A |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 656+ | 0.85 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| 10000+ | 0.67 EUR |
| FDS4935A |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 656+ | 0.85 EUR |
| FDS4935A |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 155+ | 0.96 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| 2500+ | 0.75 EUR |
| 5000+ | 0.72 EUR |
| FDS4935A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 42+ | 1.72 EUR |
| 53+ | 1.35 EUR |
| 62+ | 1.17 EUR |
| 88+ | 0.82 EUR |
| 101+ | 0.71 EUR |
| 125+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| FDS4935A |
![]() |
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 2W; -55°C ~ 175°C; FDS4935A TFDS4935a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 2W; -55°C ~ 175°C; FDS4935A TFDS4935a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.01 EUR |
| FDS4935A |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.52 EUR |
| 12+ | 1.59 EUR |
| 100+ | 1.06 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| FDS4935A |
![]() |
Hersteller: onsemi
MOSFETs -30V Dual
MOSFETs -30V Dual
auf Bestellung 13187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.53 EUR |
| 10+ | 1.48 EUR |
| 100+ | 1.06 EUR |
| FDS4935A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 8435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mit diesem Produkt kaufen
| IRF7416TRPBF Produktcode: 25625
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
verfügbar: 28 St.
- 15 St. - stock Köln
- 13 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 8 St.
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.38 EUR |
| 10+ | 0.36 EUR |
| 100+ | 0.31 EUR |
| HCPL-3120-300E Produktcode: 122265
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Avago
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SO-8
Typ: Драйвер затвора транзистора
U-isol, kV: 3,7 kV
Ton/Toff, µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -40…+100°C
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SO-8
Typ: Драйвер затвора транзистора
U-isol, kV: 3,7 kV
Ton/Toff, µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -40…+100°C
auf Bestellung 15 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Макетная плата 6x8 односторонняя, зеленая Produktcode: 144390
4
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 60x80мм
Опис: Макетна плата одностороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 594 отвори під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: одностороння
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 60x80мм
Опис: Макетна плата одностороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 594 отвори під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: одностороння
auf Bestellung 807 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| 100uF 10V ECR 5x11mm (ECR101M10B-Hitano) Produktcode: 2983
3
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 10V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 10V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 9842 St.
- 499 St. - stock Köln
- 9343 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.04 EUR |
| 10+ | 0.03 EUR |
| 100+ | 0.012 EUR |
| 1000+ | 0.011 EUR |
| 100uF 50V ECR 8x12mm (ECR101M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator) Produktcode: 2980
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 8х12mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 8х12mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 3275 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.08 EUR |
| 10+ | 0.06 EUR |
| 100+ | 0.037 EUR |
| 1000+ | 0.032 EUR |










