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FDS5351

FDS5351 ON Semiconductor

fds5351d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details FDS5351 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS5351 FDS5351 ON Semiconductor fds5351d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
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FDS5351 FDS5351 Fairchild TFDS5351_5352.pdf N-MOSFET 6.1A 60V 2.5W 35mΩ FDS5351 TFDS5351
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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FDS5351 FDS5351 ONSEMI FDS5351.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FDS5351 FDS5351 ONS/FAI FDS5351.pdf MOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8 Транзистори
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FDS5351 FDS5351 ONSEMI 2304903.pdf Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
auf Bestellung 59 Stücke:
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317+0.54 EUR
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Hersteller: Fairchild
N-MOSFET 6.1A 60V 2.5W 35mΩ FDS5351 TFDS5351
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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FDS5351
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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40+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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FDS5351
Hersteller: ONS/FAI
MOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8 Транзистори
auf Bestellung 8 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDS5351
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
auf Bestellung 59 Stücke:
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