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FDS5351

FDS5351 ON Semiconductor

fds5351-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details FDS5351 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote FDS5351 nach Preis ab 0.33 EUR bis 2.49 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS5351 FDS5351 ON Semiconductor fds5351jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
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FDS5351 FDS5351 ON Semiconductor fds5351-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
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FDS5351 FDS5351 onsemi fds5351-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.57 EUR
5000+0.52 EUR
7500+0.5 EUR
12500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS5351 FDS5351 ON Semiconductor fds5351-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 756 Stücke:
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278+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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FDS5351 FDS5351 ON Semiconductor fds5351-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+0.64 EUR
294+0.56 EUR
329+0.48 EUR
331+0.45 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
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FDS5351 FDS5351 ON Semiconductor fds5351-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.68 EUR
278+0.61 EUR
300+0.55 EUR
302+0.52 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
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FDS5351 FDS5351 ON Semiconductor fds5351jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS5351 FDS5351 ON Semiconductor fds5351-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS5351 FDS5351 onsemi / Fairchild fds5351-d.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 3575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+1 EUR
100+0.8 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDS5351 FDS5351 Fairchild TFDS5351_5352.pdf N-MOSFET 6.1A 60V 2.5W 35mΩ FDS5351 TFDS5351
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDS5351 FDS5351 ONSEMI fds5351-d.pdf Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+2.08 EUR
144+1.62 EUR
227+0.95 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
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FDS5351 FDS5351 onsemi fds5351-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
auf Bestellung 17592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
16+1.38 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDS5351 FDS5351 ONS/FAI FDS5351.pdf MOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8 Транзистори
auf Bestellung 8 Stücke:
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3+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDS5351
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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5000+0.45 EUR
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FDS5351
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS5351
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.57 EUR
5000+0.52 EUR
7500+0.5 EUR
12500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 756 Stücke:
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FDS5351
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
275+0.64 EUR
294+0.56 EUR
329+0.48 EUR
331+0.45 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
2500+0.33 EUR
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FDS5351
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Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
262+0.68 EUR
278+0.61 EUR
300+0.55 EUR
302+0.52 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+0.83 EUR
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FDS5351
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 3575 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4+1.01 EUR
10+1 EUR
100+0.8 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDS5351
Hersteller: Fairchild
N-MOSFET 6.1A 60V 2.5W 35mΩ FDS5351 TFDS5351
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDS5351
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
121+2.08 EUR
144+1.62 EUR
227+0.95 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
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FDS5351
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
auf Bestellung 17592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.18 EUR
16+1.38 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDS5351 FDS5351.pdf
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Hersteller: ONS/FAI
MOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8 Транзистори
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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