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FDS6570A

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS6570A FDS6570A ONSEMI fds6570a-d.pdf FAIRS26736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS6570A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS6570A FDS6570A ONSEMI fds6570a-d.pdf FAIRS26736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS6570A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 15A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FDS6570A FDS6570A onsemi / Fairchild FDS6570A_D-2312789.pdf MOSFET SO-8 N-CH 20V
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2500+2.78 EUR
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FDS6570A FAIRCHILD fds6570a-d.pdf FAIRS26736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
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FDS6570A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6570A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 15A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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AnzahlPrivatkunde
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FDS6570A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6570A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS6570A
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET SO-8 N-CH 20V
auf Bestellung 1902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+3.45 EUR
2500+2.78 EUR
5000+2.7 EUR
10000+2.67 EUR
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FDS6570A fds6570a-d.pdf FAIRS26736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: FAIRCHILD
SO-8
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