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FDS6612A

fds6612a-d.pdf e5c1e7743ecb413dd5d018a87a70686b.pdf FAIRS24630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDS6612A FDS6612A ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6380 Stücke:
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867+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
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FDS6612A FDS6612A ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12389 Stücke:
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867+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
10000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 867
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FDS6612A FDS6612A ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
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FDS6612A FDS6612A ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
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FDS6612A FDS6612A ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8135 Stücke:
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FDS6612A FDS6612A ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 47011 Stücke:
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1000+0.57 EUR
10000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 867
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FDS6612A FDS6612A Fairchild Semiconductor FAIRS24630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 138927 Stücke:
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625+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 625
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FDS6612A FDS6612A UMW e5c1e7743ecb413dd5d018a87a70686b.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2957 Stücke:
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20+0.92 EUR
32+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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FDS6612A FDS6612A onsemi / Fairchild FDS6612A-D.PDF MOSFETs SO-8 N-CH 30V
auf Bestellung 3831 Stücke:
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2+1.76 EUR
10+1.1 EUR
100+0.78 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.54 EUR
5000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FDS6612A FDS6612A onsemi fds6612a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.88 EUR
15+1.19 EUR
100+0.78 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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FDS6612A FDS6612A ONSEMI 2304579.pdf Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS6612A FDS6612A ONSEMI 2304579.pdf Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS6612A fds6612a-d.pdf
FDS6612A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
867+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 867
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FDS6612A fds6612a-d.pdf
FDS6612A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
867+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
10000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 867
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FDS6612A fds6612a-d.pdf
FDS6612A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
867+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
10000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 867
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FDS6612A fds6612a-d.pdf
FDS6612A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
867+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
10000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 867
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FDS6612A fds6612a-d.pdf
FDS6612A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
867+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 867
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FDS6612A fds6612a-d.pdf
FDS6612A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 47011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
867+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
10000+0.5 EUR
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FDS6612A FAIRS24630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS6612A
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 138927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
625+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 625
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FDS6612A e5c1e7743ecb413dd5d018a87a70686b.pdf
FDS6612A
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+0.92 EUR
32+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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FDS6612A FDS6612A-D.PDF
FDS6612A
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8 N-CH 30V
auf Bestellung 3831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.76 EUR
10+1.1 EUR
100+0.78 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.54 EUR
5000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FDS6612A fds6612a-d.pdf
FDS6612A
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.88 EUR
15+1.19 EUR
100+0.78 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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FDS6612A 2304579.pdf
FDS6612A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612A 2304579.pdf
FDS6612A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH