Produkte > ONSEMI > FDS6612A
FDS6612A

FDS6612A onsemi


fds6612a-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.54 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDS6612A onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V.

Weitere Produktangebote FDS6612A nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDS6612A FDS6612A Hersteller : ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
231+0.63 EUR
232+0.61 EUR
272+0.50 EUR
278+0.47 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 231
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612A FDS6612A Hersteller : ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.67 EUR
231+0.61 EUR
232+0.59 EUR
272+0.48 EUR
278+0.45 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612A FDS6612A Hersteller : onsemi / Fairchild FDS6612A_D-2312875.pdf MOSFET SO-8 N-CH 30V
auf Bestellung 12435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.06 EUR
10+0.95 EUR
100+0.71 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.53 EUR
5000+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612A FDS6612A Hersteller : onsemi fds6612a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
auf Bestellung 11257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.43 EUR
15+1.23 EUR
100+0.85 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612A FDS6612A Hersteller : ONSEMI 2304579.pdf Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 1948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612A FDS6612A Hersteller : ONSEMI 2304579.pdf Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 1948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612A FDS6612A Hersteller : ONSEMI FAIRS24630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS6612A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 141427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612A
Produktcode: 137932
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

fds6612a-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612A FDS6612A Hersteller : ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612A FDS6612A Hersteller : ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612A FDS6612A Hersteller : ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612A FDS6612A Hersteller : ONSEMI fds6612a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.4A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612A FDS6612A Hersteller : ONSEMI fds6612a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.4A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH