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FDS6680A

FDS6680A UMW

01eca427f9614f0ea709fb01095a0157.pdf
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
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Technische Details FDS6680A UMW

Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm.

Weitere Produktangebote FDS6680A nach Preis ab 0.58 EUR bis 4.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680ad.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
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FDS6680A FDS6680A onsemi fds6680a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
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FDS6680A FDS6680A Fairchild info-tfds6680a.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 12,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680A TFDS6680a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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50+0.87 EUR
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FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680ad.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680ad.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
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106+1.69 EUR
144+1.19 EUR
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500+0.67 EUR
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FDS6680A FDS6680A UMW 01eca427f9614f0ea709fb01095a0157.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
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FDS6680A FDS6680A onsemi fds6680a-d.pdf 01eca427f9614f0ea709fb01095a0157.pdf MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
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100+1.3 EUR
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FDS6680A FDS6680A onsemi fds6680a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
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FDS6680A FDS6680A ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
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58+4.32 EUR
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FDS6680A FDS6680A ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
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119+1.96 EUR
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FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680ad.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6680A FDS6680A ONSEMI FDS6680A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1071 Stücke:
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FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680ad.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6680/A FSC 09+ SO-8
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FDS6680A fds6680ad.pdf
FDS6680A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
auf Bestellung 7500 Stücke:
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5000+0.64 EUR
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FDS6680A info-tfds6680a.pdf
FDS6680A
Hersteller: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 12,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680A TFDS6680a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
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FDS6680A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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FDS6680A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 677 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
106+1.69 EUR
144+1.19 EUR
145+1.14 EUR
172+0.93 EUR
500+0.67 EUR
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FDS6680A
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.9 EUR
18+1.18 EUR
50+0.87 EUR
100+0.77 EUR
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FDS6680A fds6680a-d.pdf 01eca427f9614f0ea709fb01095a0157.pdf
FDS6680A
Hersteller: onsemi
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
auf Bestellung 4447 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.78 EUR
10+1.32 EUR
100+1.3 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.94 EUR
2500+0.81 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS6680A
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.89 EUR
12+1.82 EUR
50+1.36 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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FDS6680A 2304255.pdf
FDS6680A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 4474 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
58+4.32 EUR
119+1.96 EUR
133+1.62 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A 2304255.pdf
FDS6680A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 4474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.32 EUR
119+1.96 EUR
133+1.62 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDS6680A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDS6680A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A fds6680ad.pdf
FDS6680A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680/A
Hersteller: FSC
09+ SO-8
auf Bestellung 12982 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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