FDS6680A onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.57 EUR |
| 5000+ | 0.54 EUR |
| 7500+ | 0.52 EUR |
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Technische Details FDS6680A onsemi
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDS6680A nach Preis ab 0.57 EUR bis 1.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FDS6680A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 3675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6680A | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1630 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS6680A | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6680A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V |
auf Bestellung 8919 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS6680A | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V |
auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS6680A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS6680A | Hersteller : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 12,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680A TFDS6680a Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDS6680/A | Hersteller : FSC |
auf Bestellung 11982 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS6680/A | Hersteller : FSC | 09+ SO-8 |
auf Bestellung 12982 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS6680A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS6680A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS6680A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS6680A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |