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FDS6680A

FDS6680A Fairchild

fds6680a-d.pdf
Produktcode: 31312
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 11.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 2070/19
JHGF: SMD
verfügbar 24 St.:
5 St. - stock Köln
19 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.13 EUR
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FDS6680A FDS6680A onsemi fds6680a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FDS6680A FDS6680A Fairchild info-tfds6680a.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 12,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680A TFDS6680a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.12 EUR
130+1.1 EUR
190+0.74 EUR
250+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 129
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FDS6680A FDS6680A ONSEMI FDS6680A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 12.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.4 EUR
84+0.86 EUR
96+0.75 EUR
112+0.64 EUR
124+0.58 EUR
125+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.65 EUR
129+1.08 EUR
130+1.03 EUR
190+0.68 EUR
250+0.65 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A FDS6680A onsemi / Fairchild FDS6680A-D.PDF MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
auf Bestellung 4131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.24 EUR
100+0.91 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.65 EUR
2500+0.57 EUR
5000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A FDS6680A onsemi fds6680a-d.pdf MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.06 EUR
10+1.28 EUR
100+0.92 EUR
500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A FDS6680A onsemi fds6680a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
auf Bestellung 4763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.32 EUR
13+1.46 EUR
100+0.97 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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FDS6680A FDS6680A ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A FDS6680A ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS6680/A FSC 09+ SO-8
auf Bestellung 12982 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6680A
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FDS6680A
Hersteller: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 12,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680A TFDS6680a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 45
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FDS6680A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
129+1.12 EUR
130+1.1 EUR
190+0.74 EUR
250+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 129
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FDS6680A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 12.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
84+0.86 EUR
96+0.75 EUR
112+0.64 EUR
124+0.58 EUR
125+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 52
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FDS6680A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
88+1.65 EUR
129+1.08 EUR
130+1.03 EUR
190+0.68 EUR
250+0.65 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 88
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FDS6680A
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
auf Bestellung 4131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.74 EUR
10+1.24 EUR
100+0.91 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.65 EUR
2500+0.57 EUR
5000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Hersteller: onsemi
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.06 EUR
10+1.28 EUR
100+0.92 EUR
500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FDS6680A
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
auf Bestellung 4763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.32 EUR
13+1.46 EUR
100+0.97 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDS6680A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A 2304255.pdf
FDS6680A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680/A
Hersteller: FSC
09+ SO-8
auf Bestellung 12982 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

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USBASP Programmiergerät AVR
Produktcode: 46535
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USBASP Programmiergerät AVR
Hersteller: Coolbass
Modulare Elemente > Programmierer und Debugging-Tools
Beschreibung: Programmiergerät,Versorgungsspannung 5V,Interface PC USB,Interface Programmiergerät ISP
Entwicklungstyp: Програматор AVR
auf Bestellung 72 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Сплав Розе, 25г, Тпл = 94 град.
Produktcode: 42528
7 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Сплав Розе, 25г, Тпл = 94 град.
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Lötmaterial
Beschreibung: Legierung Rose, 25g., Temp.=94°mit
Gewicht: 25g.
Склад сплаву: Bi50Pb25Sn25
Температура плавлення: 94°C
№ 6: Свинцевий
auf Bestellung 46 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 5 St.:
Anzahl Preis
1+1.36 EUR
10+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10uF 425VAC ±5% 36x58mm+Schraube, mit Klemmen 6.3mm (4.16.10.15.64) Ducati (Motorkondensator)
Produktcode: 36507
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description 4_16_10.pdf
10uF 425VAC ±5% 36x58mm+Schraube, mit Klemmen 6.3mm (4.16.10.15.64) Ducati (Motorkondensator)
Hersteller: Ducati
Kondensatoren > Kondensatoren für Motoren
Kapazität: 10uF
Spannung: 425VAC
Präzision: ±5%
Вид з’єднання: На клеммах
Діаметр/Ширина: O36 mm
Висота: 58 mm
verfügbar: 5 St.
erwartet: 60 St.
60 St. - erwartet
Anzahl Preis
1+3.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1,87 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-1K87-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 27688
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
RC_series.pdf
1,87 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-1K87-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 1,87 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 5400 St.
1200 St. - stock Köln
4200 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.005 EUR
100+0.0045 EUR
1000+0.0039 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
900M-T-2CM (Lötspitze für Lötkolben)
Produktcode: 18032
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Tips.pdf
900M-T-2CM (Lötspitze für Lötkolben)900M-T-2CM (Lötspitze für Lötkolben)
900M-T-2CM (Lötspitze für Lötkolben)900M-T-2CM (Lötspitze für Lötkolben)
Hersteller: AOYUE
Lötgeräte, Lötmaterial > Löttechnik. Aufsätze, Lötspitzen
Kategorie: Lötspitze (Aufsatz) für Lötkolben
Beschreibung: einseitig Schnitt (45°, 17mm, Durchmesser Schnitt 2mm), mini-Welle
Тип жала: 900M-T
№ 4: Міні-Хвиля
Розмір кінчика жала: 2 mm
8515900000
verfügbar: 34 St.
10 St. - stock Köln
24 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 50 St.
50 St. - erwartet 21.08.2026
Anzahl Preis
1+3.2 EUR
10+3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH