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FDS6680A

FDS6680A Fairchild

fds6680a-d.pdf
Produktcode: 31312
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 11,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2070/19
Bemerkung: -
Montage: SMD
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 19 St.
  • 19 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS6680A FDS6680A onsemi fds6680a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.71 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A FDS6680A Fairchild info-tfds6680a.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 12,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680A TFDS6680a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
731+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 731 Stücke
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FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.37 EUR
130+1.33 EUR
190+0.89 EUR
250+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A FDS6680A ONSEMI FDS6680A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 12.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.67 EUR
84+1.02 EUR
96+0.89 EUR
112+0.76 EUR
124+0.69 EUR
125+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.01 EUR
129+1.32 EUR
130+1.26 EUR
190+0.83 EUR
250+0.79 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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FDS6680A FDS6680A onsemi / Fairchild FDS6680A-D.PDF MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
auf Bestellung 4131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+1.48 EUR
100+1.08 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.68 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A FDS6680A onsemi fds6680a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
auf Bestellung 17662 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
12+1.8 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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FDS6680A FDS6680A onsemi fds6680a-d.pdf MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+1.77 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS6680A FDS6680A ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.3 EUR
122+1.9 EUR
170+1.26 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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FDS6680A FDS6680A ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.3 EUR
122+1.9 EUR
170+1.26 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS6680/A FSC 09+ SO-8
auf Bestellung 12982 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.71 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6680A info-tfds6680a.pdf
FDS6680A
Hersteller: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 12,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680A TFDS6680a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
731+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 731 Stücke
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FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
129+1.37 EUR
130+1.33 EUR
190+0.89 EUR
250+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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FDS6680A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 12.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+1.67 EUR
84+1.02 EUR
96+0.89 EUR
112+0.76 EUR
124+0.69 EUR
125+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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FDS6680A
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+2.01 EUR
129+1.32 EUR
130+1.26 EUR
190+0.83 EUR
250+0.79 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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FDS6680A
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
auf Bestellung 4131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.07 EUR
10+1.48 EUR
100+1.08 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.68 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
auf Bestellung 17662 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.84 EUR
12+1.8 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Hersteller: onsemi
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.92 EUR
10+1.77 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A 2304255.pdf
FDS6680A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+3.3 EUR
122+1.9 EUR
170+1.26 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A 2304255.pdf
FDS6680A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.3 EUR
122+1.9 EUR
170+1.26 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680/A
Hersteller: FSC
09+ SO-8
auf Bestellung 12982 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

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Programmiergerät USBASP AVR V2.0.
Produktcode: 46535
6 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Programmiergerät USBASP AVR V2.0.
Hersteller: Coolbass
Modulare Elemente > Programmierer und Debugging-Tools
Beschreibung: Programmiergerät AVR, Versorgungsspannung 5In, Schnittstelle PC: USB, Schnittstelle Programmiergeräts: ISP
Typ des Entwicklungswerkzeugs: Programmiergerät AVR
auf Bestellung: 57 St.
  • 57 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.33 EUR
10+5.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Rose-Legierung, 25 г, Schmelzpunkt = 94 °С
Produktcode: 42528
8 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Rose-Legierung, 25 г, Schmelzpunkt = 94 °С
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Lot ohne Flussmittel
Beschreibung: Rose-Legierung, 25g, Schmp. = 94 °C
Gewicht/Volumen/Menge: 25 g
Legierungszusammensetzung: Bi50Pb25Sn25
Schmelzpunkt: 94°С
Lottyp: Bleihaltig
auf Bestellung: 104 St.
  • 104 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.74 EUR
10+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10uF 425VAC ±5% 36x58mm + bolzen, mit Klemmen 6.3mm (4.16.10.15.64) Ducati (anlaufkondensator)
Produktcode: 36507
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description 4_16_10.pdf
10uF 425VAC ±5% 36x58mm + bolzen, mit Klemmen 6.3mm (4.16.10.15.64) Ducati (anlaufkondensator)
Hersteller: Ducati
Kondensatoren > Kondensatoren für Motoren
Kapazität: 10 µF
Spannung: 425 VAC
Toleranz: ±5%
Anschlussart: Mit Klemmen
Durchmesser/Breite: O36 мм
Höhe: 58 мм
verfügbar: 2 St.
  • 2 St. - stock Köln
auf Bestellung: 60 St.
  • 60 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1,87 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-1K87-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 27688
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
RC_series.pdf
1,87 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-1K87-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 1,87 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
auf Bestellung: 3898 St.
  • 3898 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.006 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOYUE 900M-T-2CM (Lötspitze für Lötkolben)
Produktcode: 18032
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Tips.pdf
AOYUE 900M-T-2CM (Lötspitze für Lötkolben)AOYUE 900M-T-2CM (Lötspitze für Lötkolben)
AOYUE 900M-T-2CM (Lötspitze für Lötkolben)AOYUE 900M-T-2CM (Lötspitze für Lötkolben)
Hersteller: AOYUE
Lötgeräte, Lötmaterial > Löttechnik. Aufsätze, Lötspitzen
Kategorie: Lötspitze (Aufsatz) für Lötkolben an Lötstationen
Beschreibung: Lötspitze, einseitiger Anschliff (45°, 17 mm, Durchmesser Anschliff 2 mm), Miniwelle
Spitzentyp: 900M-T
Spitzenform: Mini-Welle
Spitzengröße: 2 мм
8515 90 00 00
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