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FDS6680A

FDS6680A Fairchild

fds6680a-d.pdf
Produktcode: 31312
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 11.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 2070/19
JHGF: SMD
verfügbar 28 Stück:
5 Stück - stock Köln
23 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.13 EUR
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FDS6680A FDS6680A Hersteller : onsemi fds6680a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.57 EUR
5000+0.54 EUR
7500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FDS6680A FDS6680A Hersteller : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
731+0.75 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 731
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FDS6680A FDS6680A Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9F23177BA2259&compId=FDS6680A.pdf?ci_sign=429ba1fe99e3780a14c86495b7e401c1bc4bb04b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1626 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
78+0.93 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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FDS6680A FDS6680A Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9F23177BA2259&compId=FDS6680A.pdf?ci_sign=429ba1fe99e3780a14c86495b7e401c1bc4bb04b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 1626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
78+0.93 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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FDS6680A FDS6680A Hersteller : onsemi fds6680a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
auf Bestellung 8919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.46 EUR
15+1.19 EUR
100+0.88 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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FDS6680A FDS6680A Hersteller : onsemi / Fairchild fds6680a-d.pdf MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.57 EUR
10+1.25 EUR
25+1.16 EUR
100+0.95 EUR
250+0.9 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FDS6680A FDS6680A Hersteller : ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS6680A Hersteller : Fairchild fds6680a-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 12,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680A TFDS6680a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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FDS6680/A Hersteller : FSC
auf Bestellung 11982 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6680/A Hersteller : FSC 09+ SO-8
auf Bestellung 12982 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6680A FDS6680A Hersteller : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6680A FDS6680A Hersteller : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6680A FDS6680A Hersteller : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6680A FDS6680A Hersteller : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
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Klemmen 15EDGK-3.5-02P-14-00Z(H)
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Klemmen 15EDGK-3.5-02P-14-00Z(H)
Hersteller: Degson
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmenblock
Beschreibung: Schritt: 3,5mm, Anzahl Kontakte: 02P, Spannung/Strom: 300V/8A, fur Draht: 28-16AWG 1,5mm2
Schritt, mm: 3,5mm
Anzahl Kontakte: 2
Клемник роз’ємного типу
Номінальний струм: 8 А
№ 7: 8536699090
auf Bestellung 545 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 8000 Stück:
8000 Stück - erwartet
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470pF 500V Y5P K(+/-10%) (HB2H471K-L515B-Hitano)
Produktcode: 16340
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ClassII_070726.pdf
470pF 500V Y5P K(+/-10%) (HB2H471K-L515B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 470pF
Nennspannung: 500V
TKE: Y5P
Präzision: ±10% K
Abmessungen: D<=5,8mm
Part Nummer: HB2H471K-L515B
№ 8: 8532 24 00 00
verfügbar: 229 Stück
119 Stück - stock Köln
110 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.16 EUR
10+0.12 EUR
100+0.08 EUR
1000+0.071 EUR
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470pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N471J1HL2-L)
Produktcode: 2902
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multilayer_ceramic_capacitorsepoxxyy.pdf
470pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N471J1HL2-L)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 470pF
Nennspannung: 50V
TKE: NP0
Präzision: ±5% J
Abmessungen: 2,54mm
Part Nummer: R15N471J1HL-2L
auf Bestellung 2792 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.06 EUR
100+0.022 EUR
1000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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470pF 1kV Y5P K(+/-10%) D<=5,8mm (HB3A471K-L516B-Hitano)
Produktcode: 2459
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ClassII_070726.pdf
470pF 1kV Y5P K(+/-10%) D<=5,8mm (HB3A471K-L516B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 470pF
Nennspannung: 1000V
TKE: Y5P
Präzision: ±10% K
Abmessungen: D<=5,8mm
Part Nummer: HB3A471K-L516B
№ 8: 8532 24 00 00
verfügbar: 3863 Stück
205 Stück - stock Köln
3658 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.15 EUR
10+0.12 EUR
100+0.016 EUR
1000+0.015 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH