FDS6682 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
auf Bestellung 4160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 764+ | 0.63 EUR |
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Technische Details FDS6682 onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote FDS6682 nach Preis ab 0.88 EUR bis 1.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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FDS6682 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6682 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6682 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDS6682 | Hersteller : FAI |
04+ |
auf Bestellung 966 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS6682 | Hersteller : FAIRCHIL |
09+ SOP8 |
auf Bestellung 1002 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS6682 | Hersteller : Fairchild |
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auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS6682 | Hersteller : FAIRCHILD |
07+ SO-8 |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS6682 | Hersteller : FAIRCHILD |
09+ |
auf Bestellung 7518 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS6682 | Hersteller : FAIRCHILD |
SO-8 |
auf Bestellung 41000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS6682 | Hersteller : FDS |
SOP-8 |
auf Bestellung 2580 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS6682 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDS6682 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS6682 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |